Основание правильной четырёхугольной пирамиды — квадрат, а боковые грани — равные равнобедренные треугольники. Пирамида SАВСД: основание АВСД (АВ=ВС=СД=АД=3). Вершина пирамиды S проектируется в точку О пересечения диагоналей основания (квадрата) АС и ВД, т.е. SO=1 - это высота пирамиды. Проведем апофему пирамиды SK - это высота боковой грани. Из прямоугольного ΔSKО: SK=√(ОК²+SО²)=√((3/2)²-1²)=√5/2 Площадь основания Sосн=АВ²=3²=9 Периметр основания Р=4АВ=4*3=12 Площадь боковой поверхности Sбок=P*SK/2=12*√5/2 /2=3√5 Площадь полной поверхности Sполн=Sбок+Sосн=3√5+9 Объем V=Sосн*SO/3=9*1/3=3
Пирамида SАВСД: основание АВСД (АВ=ВС=СД=АД=3). Вершина пирамиды S проектируется в точку О пересечения диагоналей основания (квадрата) АС и ВД, т.е. SO=1 - это высота пирамиды.
Проведем апофему пирамиды SK - это высота боковой грани.
Из прямоугольного ΔSKО:
SK=√(ОК²+SО²)=√((3/2)²-1²)=√5/2
Площадь основания Sосн=АВ²=3²=9
Периметр основания Р=4АВ=4*3=12
Площадь боковой поверхности
Sбок=P*SK/2=12*√5/2 /2=3√5
Площадь полной поверхности
Sполн=Sбок+Sосн=3√5+9
Объем
V=Sосн*SO/3=9*1/3=3