В полупроводнике число свободных носителей заряда растет при повышении температуры так как их количество изначально невысоко, то при прохождении тока и навгреве проводимость сильно возрастает в металле имеется большое количество свободных электронов, металл изначально обладает высокой проводимостью и малым сопротивлением, поэтому при пропускании тока на металле выделяется меньшая мощность чем на полупроводника, он меньше греется, при нагреве число носителей заряда не изменяется, проводимость ухудшается незначительно при обратном напряжении на р-n переходе возникает запирающий слой, носители заряда его не могут преодолеть, ток минимальный, вплоть до напряжения пробоя в узком диапазоне напряжения пробоя работают например стабилитроны
так как их количество изначально невысоко, то при прохождении тока и навгреве проводимость сильно возрастает
в металле имеется большое количество свободных электронов, металл изначально обладает высокой проводимостью и малым сопротивлением, поэтому при пропускании тока на металле выделяется меньшая мощность чем на полупроводника, он меньше греется, при нагреве число носителей заряда не изменяется, проводимость ухудшается незначительно
при обратном напряжении на р-n переходе возникает запирающий слой, носители заряда его не могут преодолеть, ток минимальный, вплоть до напряжения пробоя
в узком диапазоне напряжения пробоя работают например стабилитроны