Очень К чему приводит включение полупроводникового диода в прямом направлении?
Выберите один ответ:
a.
к увеличению результирующего поля в p-n-переходе
b.
не влияет на результирующее поле p-n-перехода
c.
к уменьшению результирующего поля в p-n-переходе
Как изменится дрейфовый ток полупроводникового диода при включении его в обратном направлении?
Выберите один ответ:
a.
останется без изменения
b.
увеличится
c.
уменьшится
d.
станет равным нулю
Как изменится объемный заряд в p-n-переходе полупроводникового диода при включении его в обратном направлении?
Выберите один ответ:
a.
останется без изменения
b.
станет равным нулю
c.
уменьшится
d.
увеличится
Какой фактор не влияет на вольт-амперную характеристику диода?
Выберите один ответ:
a.
объемное сопротивление слоев p-n-структуры
b.
ток утечки через поверхность p-n-перехода
c.
генерация носителей заряда в p-n-переходе
d.
все влияют
Как изменится потенциальный барьер полупроводникового диода при включении его в обратном направлении?
Выберите один ответ:
a.
станет равным нулю
b.
уменьшится
c.
увеличится
d.
останется без изменения
Чем обусловлена односторонняя проводимость полупроводниковых диодов?
Выберите один ответ:
a.
Применением полупроводниковой структуры, сочетающей в себе два слоя с различным типом электропроводности
b.
Применением полупроводниковой структуры, сочетающей в себе два слоя с однотипной электропроводностью, но разной концентрацией
c.
Пробоем p-n-перехода
d.
Полупроводниковый диод обладает двухсторонней проводимостью
Как изменится ширина p-n-перехода полупроводникового диода при включении его в обратном направлении?
Выберите один ответ:
a.
станет равной нулю
b.
уменьшится
c.
увеличится
d.
останется без изменения
1. Ответ: а. к увеличению результирующего поля в p-n-переходе.
Обоснование: Включение полупроводникового диода в прямом направлении приводит к увеличению результирующего поля в p-n-переходе. При подаче прямого напряжения на диод, электроны в полупроводнике p-типа идут к переходу и рекомбинируют с дырками, создавая заряженные ионы. Это приводит к увеличению результирующего поля внутри перехода.
2. Ответ: а. останется без изменения.
Обоснование: Дрейфовый ток полупроводникового диода не изменится при включении его в обратном направлении. В обратном направлении применяется обратное напряжение, что существенно увеличивает ширину p-n-перехода. В результате, дрейфовый ток, который обусловлен диффузией заряженных носителей, останется без изменения.
3. Ответ: b. станет равным нулю.
Обоснование: При включении полупроводникового диода в обратном направлении, объемный заряд в p-n-переходе увеличится и разделится между переходом и пространством зарядов. Это приводит к увеличению обратного напряжения и в конечном итоге вызывает появление обратного тока, называемого током утечки.
4. Ответ: d. все влияют.
Обоснование: Все перечисленные факторы влияют на вольт-амперную характеристику диода. Объемное сопротивление слоев p-n-структуры, ток утечки через поверхность p-n-перехода и генерация носителей заряда в p-n-переходе вместе определяют форму и свойства вольт-амперной характеристики.
5. Ответ: b. увеличится.
Обоснование: Потенциальный барьер полупроводникового диода увеличится при включении его в обратном направлении. Обратное напряжение приводит к расширению p-n-перехода и увеличению ширины потенциального барьера.
6. Ответ: a. Применением полупроводниковой структуры, сочетающей в себе два слоя с различным типом электропроводности.
Обоснование: Односторонняя проводимость полупроводниковых диодов обусловлена применением полупроводниковой структуры, сочетающей в себе два слоя - p-тип и n-тип - с различными типами электропроводности.
7. Ответ: c. увеличится.
Обоснование: Ширина p-n-перехода полупроводникового диода увеличится при включении его в обратном направлении. Это происходит из-за появления обратного напряжения, которое расширяет переход.
Надеюсь, что ответы были полезными и понятными! Если у тебя есть еще вопросы, не стесняйся задать их. Я всегда готов помочь.