В случае собственного полупроводника стационарное состояние в эффекте Холла обеспечивается равенством потоков электронов и ды- рок, поступающих к боковой поверхности образца. Повышенная кон- центрация электронов и дырок в этой части полупроводника вызовет их усиленную рекомбинацию, тогда как в области пониженной концен- трации вероятность встречи электрона с дыркой, т.е. их рекомбинации, будет меньше обычной.
В случае собственного полупроводника стационарное состояние в эффекте Холла обеспечивается равенством потоков электронов и ды- рок, поступающих к боковой поверхности образца. Повышенная кон- центрация электронов и дырок в этой части полупроводника вызовет их усиленную рекомбинацию, тогда как в области пониженной концен- трации вероятность встречи электрона с дыркой, т.е. их рекомбинации, будет меньше обычной.