При подключении напряжения к р-п переходу с обратной полярностью будем наблюдать ветвь 0-В и ВС.
Уже при Uобр=0.1 - 0.13в начинает идти обратный ток.Величина обратного тока не зависит от величины обратного напряжения. Обратный ток определяется неосновными носителями и называется тепловым,поскольку неосновные носители образуются в результате процесса термогенерации. А так как собственная проводимость полупроводника невелика, то обратный ток незначителен.
При превышении обратного напр. Uобр.проб.-называемого пробивным, обратный ток Io резко возрастает.Если его не ограничить, то произойдёт электрический пробой р-п перехода, сопровождаемый часто тепловым. Электрический пробой объясняется тем, что при Uобр. больше Uобр.пр. электрическое поле в р-п переходе становится столь сильным, что в состоянии сообщить электронам и дыркам энергию, достаточную для ударной ионизации вещества перехода с лавинообразным процессом размножения дополнительных пар зарядов. Эти пары резкому возрастанию тока. Крвтковременный электрический пробой не приводит к порче р-п перехода,т.е. является обратным явлением. При тепловом пробое происходит недопустимый перегрев р-п перехода и он выходит из строя.
Для ветви 0-ОА: Доминирующей составляющей прямого тока, протекающе через р-п переход, будет та, которая определяется основными носителями заряда области с более высокой концентрацией тока. С увеличением внешнего напряжения приложенного к р-п переходу в прямом направлении Uпр. увеличивается по экспоненциальному закону. При Uпр.много больше ФИт) переход исчезает и ток ограничивается лишь сопротивлением базовой области, составляющем единици или десятки Ом.
При подключении напряжения к р-п переходу с обратной полярностью будем наблюдать ветвь 0-В и ВС.
Уже при Uобр=0.1 - 0.13в начинает идти обратный ток.Величина обратного тока не зависит от величины обратного напряжения. Обратный ток определяется неосновными носителями и называется тепловым,поскольку неосновные носители образуются в результате процесса термогенерации. А так как собственная проводимость полупроводника невелика, то обратный ток незначителен.
При превышении обратного напр. Uобр.проб.-называемого пробивным, обратный ток Io резко возрастает.Если его не ограничить, то произойдёт электрический пробой р-п перехода, сопровождаемый часто тепловым. Электрический пробой объясняется тем, что при Uобр. больше Uобр.пр. электрическое поле в р-п переходе становится столь сильным, что в состоянии сообщить электронам и дыркам энергию, достаточную для ударной ионизации вещества перехода с лавинообразным процессом размножения дополнительных пар зарядов. Эти пары резкому возрастанию тока. Крвтковременный электрический пробой не приводит к порче р-п перехода,т.е. является обратным явлением. При тепловом пробое происходит недопустимый перегрев р-п перехода и он выходит из строя.
Для ветви 0-ОА: Доминирующей составляющей прямого тока, протекающе через р-п переход, будет та, которая определяется основными носителями заряда области с более высокой концентрацией тока. С увеличением внешнего напряжения приложенного к р-п переходу в прямом направлении Uпр. увеличивается по экспоненциальному закону. При Uпр.много больше ФИт) переход исчезает и ток ограничивается лишь сопротивлением базовой области, составляющем единици или десятки Ом.
Объяснение: