Как изменяются при удалении от источника света от вакуумного фотоэлемента: сила тока насыщения; максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов; количество фотоэлектронов , ежесекундно вылетающих с поверхности катода?
При удалении от источника света от вакуумного фотоэлемента следующие характеристики будут изменяться:
1. Сила тока насыщения:
Сила тока насыщения - это максимально достижимая величина тока в фотоэлементе при заданной интенсивности света. При удалении от источника света, интенсивность падающего света будет уменьшаться. Согласно фотоэлектрическому эффекту, при недостаточно высоких энергиях падающего фотона не будет достигаться пороговая энергия, необходимая для выбивания электронов из поверхности катода. Поэтому, с увеличением расстояния от источника света, интенсивность света будет уменьшаться, что приведет к уменьшению силы тока насыщения.
2. Максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов:
Максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов связана с энергией падающего фотона. По принципу сохранения энергии, энергия фотона должна быть достаточной для выбивания электрона из поверхности катода и придания ему кинетической энергии. Таким образом, с увеличением расстояния от источника света, количество фотонов (и, следовательно, энергия) уменьшается, что приводит к уменьшению максимальной кинетической энергии фотоэлектронов.
3. Количество фотоэлектронов, ежесекундно вылетающих с поверхности катода:
Количество фотоэлектронов, ежесекундно вылетающих с поверхности катода, зависит от интенсивности света и эффективности фотоэлектрона. По мере увеличения расстояния от источника света, интенсивность света уменьшается, поэтому количество фотонов, падающих на поверхность катода, также уменьшается. Это в свою очередь приводит к уменьшению количества фотоэлектронов, вылетающих с поверхности катода.
Итак, при удалении от источника света от вакуумного фотоэлемента: сила тока насыщения уменьшается, максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов уменьшается, количество фотоэлектронов, вылетающих с поверхности катода, уменьшается.
1. Сила тока насыщения:
Сила тока насыщения - это максимально достижимая величина тока в фотоэлементе при заданной интенсивности света. При удалении от источника света, интенсивность падающего света будет уменьшаться. Согласно фотоэлектрическому эффекту, при недостаточно высоких энергиях падающего фотона не будет достигаться пороговая энергия, необходимая для выбивания электронов из поверхности катода. Поэтому, с увеличением расстояния от источника света, интенсивность света будет уменьшаться, что приведет к уменьшению силы тока насыщения.
2. Максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов:
Максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов связана с энергией падающего фотона. По принципу сохранения энергии, энергия фотона должна быть достаточной для выбивания электрона из поверхности катода и придания ему кинетической энергии. Таким образом, с увеличением расстояния от источника света, количество фотонов (и, следовательно, энергия) уменьшается, что приводит к уменьшению максимальной кинетической энергии фотоэлектронов.
3. Количество фотоэлектронов, ежесекундно вылетающих с поверхности катода:
Количество фотоэлектронов, ежесекундно вылетающих с поверхности катода, зависит от интенсивности света и эффективности фотоэлектрона. По мере увеличения расстояния от источника света, интенсивность света уменьшается, поэтому количество фотонов, падающих на поверхность катода, также уменьшается. Это в свою очередь приводит к уменьшению количества фотоэлектронов, вылетающих с поверхности катода.
Итак, при удалении от источника света от вакуумного фотоэлемента: сила тока насыщения уменьшается, максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов уменьшается, количество фотоэлектронов, вылетающих с поверхности катода, уменьшается.